開關(guān)電源進(jìn)入高效率功率變換時(shí)代
電子設(shè)備特別是計(jì)算機(jī)的不時(shí)小型化，請(qǐng)求供電電源的體積隨之小型化，因此開關(guān)電源開端替代以笨重的工頻變壓器為特征的線性穩(wěn)壓電源，同時(shí)電源效率得到明顯進(jìn)步。電源體積的減小意味著散熱才能的變差，因此請(qǐng)求電源的功耗變小，即在輸出功率不變的前提下，效率必需進(jìn)步。
高效率功率變換：開關(guān)電源設(shè)計(jì)追求的目的
相同體積的電源的功率耗散根本相同，因而，欲得到更大的輸出功率，必需進(jìn)步效率，同時(shí)，高的電源效率能夠有效地減小功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)力，有利于進(jìn)步其牢靠性。
開關(guān)電源的損耗主要為：無源元件損耗和有源元件損耗
開關(guān)損耗不斷困惑著開關(guān)電源設(shè)計(jì)者，由于功率半導(dǎo)體器件在開關(guān)過程中，器件上同時(shí)存在電流、電壓，因此不可防止地存在開關(guān)損耗，假如開關(guān)電源中開關(guān)管和輸出整流二極管能完成零電壓開關(guān)或零電流開關(guān)，則其效率能夠明顯進(jìn)步。
開關(guān)過程惹起的開關(guān)損耗大致會(huì)占總輸入功率的5%～10%，大幅度降低或消弭這一損耗可使開關(guān)電源的效率進(jìn)步5%～10%。最有效的辦法是軟開關(guān)技術(shù)或零電壓開關(guān)或零電流開關(guān)技術(shù)。
在眾多軟開關(guān)的計(jì)劃中，比擬適用的有大功率的全橋變換器，通常采用移相零電壓開關(guān)的控制方式，這種控制方式請(qǐng)求在初級(jí)側(cè)需附加一續(xù)流電感以確保開關(guān)管在零電壓狀態(tài)下導(dǎo)通，由于較大的有效值電流流過，這個(gè)附加電感將發(fā)熱(雖然比RC緩沖電路小得多)，因此在低壓功率變換中并不采用。
無源無損耗緩沖電路的特性是不毀壞常規(guī)PWM控制方式，設(shè)計(jì)/調(diào)試簡(jiǎn)單。雖然如此，無源無損耗緩沖電路和準(zhǔn)諧振/零電壓開關(guān)工作方式也存在一些缺陷，如僅能完成關(guān)斷軟開關(guān)以及在反激式變換器中不太適于大負(fù)載范圍變化。軟開關(guān)中有源箝位是進(jìn)步單管正/反激變換器效率的有效辦法，最初的專利限制如今已失效，能夠普遍應(yīng)用。
功率半導(dǎo)體器件的進(jìn)步：高效率功率變換的基本
功率半導(dǎo)體器件的進(jìn)步特別是PowerMOSFET的進(jìn)步引發(fā)出功率變換的一系列的進(jìn)步：PowerMOSFET的極快的開關(guān)速度，使開關(guān)電源的開關(guān)頻率從雙極晶體管的20kHz進(jìn)步到100kHz以上，有效地減小了無源儲(chǔ)能元件(電感、電容)的體積。低壓PowerMOSFET使低壓同步整流成為理想，器件的導(dǎo)通電壓從肖特基二極管的0.5V左右，降低到同步整流器的0.1V以至更低，使低壓整流器的效率至少進(jìn)步了10%。高壓PowerMOSFET的導(dǎo)通壓降和開關(guān)特性的改善，進(jìn)步了開關(guān)電源的初級(jí)效率。功率半導(dǎo)體器件的功耗的降低也使散熱器和整機(jī)的體積減小。
電源界有一個(gè)不成文的觀念：不穩(wěn)壓的比穩(wěn)壓的效率高、不隔離的比隔離的效率高、窄范圍輸入電壓的比寬范圍輸入的效率高。Vicor的48V輸入電源模塊的效率到達(dá)97%。交流輸入開關(guān)電源需求功率因數(shù)校正，由于功率因數(shù)校正已具有穩(wěn)壓功用，在對(duì)輸出紋波請(qǐng)求不高的應(yīng)用(如輸出接有蓄電池或超級(jí)電容器)，能夠采用功率因數(shù)校正加不調(diào)理的隔離變換器電路拓?fù)洌瑖?guó)外在1986年已有產(chǎn)品，效率抵達(dá)93%以上。
在DC48V輸入電壓的電源模塊中，效率在93%以上的模塊簡(jiǎn)直無一例外地采用前級(jí)穩(wěn)壓、后級(jí)不調(diào)理隔離的計(jì)劃，并且將第一級(jí)的輸出電容和第二級(jí)的輸出電感取消，簡(jiǎn)化了電路構(gòu)造。
國(guó)內(nèi)的很多開關(guān)電源在設(shè)計(jì)上對(duì)構(gòu)造設(shè)計(jì)的關(guān)注相對(duì)不夠，有時(shí)會(huì)呈現(xiàn)電源內(nèi)的各局部溫升不均，有的中央過熱，有的中央簡(jiǎn)直沒有溫升，以至PCB上產(chǎn)生較大的損耗。一個(gè)好的開關(guān)電源應(yīng)該是產(chǎn)生熱的元件平均散布在PCB上，而且發(fā)熱元件的溫升根本分歧，PCB應(yīng)有盡可能小的損耗，這在模塊電源和塑料外殼的Adapter的設(shè)計(jì)中尤為重要。
效率進(jìn)步的同時(shí)：電源的電磁干擾得到減小
在開關(guān)電源的各種損耗中，電磁干擾所產(chǎn)生的損耗，在電源效率高到一定程度后將不容無視。一方面電磁干擾自身耗費(fèi)能量，特別是電源效率的進(jìn)步常常需求軟開關(guān)技術(shù)或零電壓開關(guān)或零電流開關(guān)技術(shù)(無論是特地設(shè)置還是電路自身固有)，應(yīng)用這些技術(shù)減緩了開關(guān)過程的電壓、電流的變化速率或消弭了開關(guān)過程，電磁干擾變得很小，不需求像常規(guī)開關(guān)電源電路中需求特地設(shè)置抑止電磁干擾的電路(這個(gè)電路是存在損耗的)。
開關(guān)電源進(jìn)入：高效率功率變換時(shí)期
認(rèn)真剖析，高效率功率變換看起來是很簡(jiǎn)單的，以至有些電路拓?fù)湓?0多年前就有引見(如兩級(jí)變換拓?fù)錁?gòu)造，早在UNITRODE82/83年數(shù)據(jù)手冊(cè)的ApplicationNote的AN19中就有引見、TEK2235示波器中也采用了這種功率變換拓?fù)錁?gòu)造)，但受當(dāng)時(shí)的技術(shù)程度，特別是人們認(rèn)識(shí)的限制(總是以為兩級(jí)變換的效率比單級(jí)低，而事實(shí)上兩級(jí)變換能夠完成事實(shí)上的固有的零電壓開關(guān)，單級(jí)變換則需求特殊的附加電路和控制方式)而并沒有得到供認(rèn)和應(yīng)用。器件的性能和人們認(rèn)識(shí)的進(jìn)步曾經(jīng)使兩級(jí)變換作為高效率功率變換的主要方式之一。
結(jié)語
往常關(guān)于開關(guān)電源設(shè)計(jì)工程師和制造廠商而言，先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件能夠便當(dāng)?shù)玫剑冗M(jìn)的電路拓?fù)浜涂刂品绞皆?jīng)開端應(yīng)用，他們所剩下的就是想方法進(jìn)步本人的技術(shù)程度，同時(shí)發(fā)明更好的應(yīng)用時(shí)機(jī)和市場(chǎng)份額。
高效率功率變換：開關(guān)電源設(shè)計(jì)追求的目的
相同體積的電源的功率耗散根本相同，因而，欲得到更大的輸出功率，必需進(jìn)步效率，同時(shí)，高的電源效率能夠有效地減小功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)力，有利于進(jìn)步其牢靠性。
開關(guān)電源的損耗主要為：無源元件損耗和有源元件損耗
開關(guān)損耗不斷困惑著開關(guān)電源設(shè)計(jì)者，由于功率半導(dǎo)體器件在開關(guān)過程中，器件上同時(shí)存在電流、電壓，因此不可防止地存在開關(guān)損耗，假如開關(guān)電源中開關(guān)管和輸出整流二極管能完成零電壓開關(guān)或零電流開關(guān)，則其效率能夠明顯進(jìn)步。
開關(guān)過程惹起的開關(guān)損耗大致會(huì)占總輸入功率的5%～10%，大幅度降低或消弭這一損耗可使開關(guān)電源的效率進(jìn)步5%～10%。最有效的辦法是軟開關(guān)技術(shù)或零電壓開關(guān)或零電流開關(guān)技術(shù)。
在眾多軟開關(guān)的計(jì)劃中，比擬適用的有大功率的全橋變換器，通常采用移相零電壓開關(guān)的控制方式，這種控制方式請(qǐng)求在初級(jí)側(cè)需附加一續(xù)流電感以確保開關(guān)管在零電壓狀態(tài)下導(dǎo)通，由于較大的有效值電流流過，這個(gè)附加電感將發(fā)熱(雖然比RC緩沖電路小得多)，因此在低壓功率變換中并不采用。
無源無損耗緩沖電路的特性是不毀壞常規(guī)PWM控制方式，設(shè)計(jì)/調(diào)試簡(jiǎn)單。雖然如此，無源無損耗緩沖電路和準(zhǔn)諧振/零電壓開關(guān)工作方式也存在一些缺陷，如僅能完成關(guān)斷軟開關(guān)以及在反激式變換器中不太適于大負(fù)載范圍變化。軟開關(guān)中有源箝位是進(jìn)步單管正/反激變換器效率的有效辦法，最初的專利限制如今已失效，能夠普遍應(yīng)用。
功率半導(dǎo)體器件的進(jìn)步：高效率功率變換的基本
功率半導(dǎo)體器件的進(jìn)步特別是PowerMOSFET的進(jìn)步引發(fā)出功率變換的一系列的進(jìn)步：PowerMOSFET的極快的開關(guān)速度，使開關(guān)電源的開關(guān)頻率從雙極晶體管的20kHz進(jìn)步到100kHz以上，有效地減小了無源儲(chǔ)能元件(電感、電容)的體積。低壓PowerMOSFET使低壓同步整流成為理想，器件的導(dǎo)通電壓從肖特基二極管的0.5V左右，降低到同步整流器的0.1V以至更低，使低壓整流器的效率至少進(jìn)步了10%。高壓PowerMOSFET的導(dǎo)通壓降和開關(guān)特性的改善，進(jìn)步了開關(guān)電源的初級(jí)效率。功率半導(dǎo)體器件的功耗的降低也使散熱器和整機(jī)的體積減小。
電源界有一個(gè)不成文的觀念：不穩(wěn)壓的比穩(wěn)壓的效率高、不隔離的比隔離的效率高、窄范圍輸入電壓的比寬范圍輸入的效率高。Vicor的48V輸入電源模塊的效率到達(dá)97%。交流輸入開關(guān)電源需求功率因數(shù)校正，由于功率因數(shù)校正已具有穩(wěn)壓功用，在對(duì)輸出紋波請(qǐng)求不高的應(yīng)用(如輸出接有蓄電池或超級(jí)電容器)，能夠采用功率因數(shù)校正加不調(diào)理的隔離變換器電路拓?fù)洌瑖?guó)外在1986年已有產(chǎn)品，效率抵達(dá)93%以上。
在DC48V輸入電壓的電源模塊中，效率在93%以上的模塊簡(jiǎn)直無一例外地采用前級(jí)穩(wěn)壓、后級(jí)不調(diào)理隔離的計(jì)劃，并且將第一級(jí)的輸出電容和第二級(jí)的輸出電感取消，簡(jiǎn)化了電路構(gòu)造。
國(guó)內(nèi)的很多開關(guān)電源在設(shè)計(jì)上對(duì)構(gòu)造設(shè)計(jì)的關(guān)注相對(duì)不夠，有時(shí)會(huì)呈現(xiàn)電源內(nèi)的各局部溫升不均，有的中央過熱，有的中央簡(jiǎn)直沒有溫升，以至PCB上產(chǎn)生較大的損耗。一個(gè)好的開關(guān)電源應(yīng)該是產(chǎn)生熱的元件平均散布在PCB上，而且發(fā)熱元件的溫升根本分歧，PCB應(yīng)有盡可能小的損耗，這在模塊電源和塑料外殼的Adapter的設(shè)計(jì)中尤為重要。
效率進(jìn)步的同時(shí)：電源的電磁干擾得到減小
在開關(guān)電源的各種損耗中，電磁干擾所產(chǎn)生的損耗，在電源效率高到一定程度后將不容無視。一方面電磁干擾自身耗費(fèi)能量，特別是電源效率的進(jìn)步常常需求軟開關(guān)技術(shù)或零電壓開關(guān)或零電流開關(guān)技術(shù)(無論是特地設(shè)置還是電路自身固有)，應(yīng)用這些技術(shù)減緩了開關(guān)過程的電壓、電流的變化速率或消弭了開關(guān)過程，電磁干擾變得很小，不需求像常規(guī)開關(guān)電源電路中需求特地設(shè)置抑止電磁干擾的電路(這個(gè)電路是存在損耗的)。
開關(guān)電源進(jìn)入：高效率功率變換時(shí)期
認(rèn)真剖析，高效率功率變換看起來是很簡(jiǎn)單的，以至有些電路拓?fù)湓?0多年前就有引見(如兩級(jí)變換拓?fù)錁?gòu)造，早在UNITRODE82/83年數(shù)據(jù)手冊(cè)的ApplicationNote的AN19中就有引見、TEK2235示波器中也采用了這種功率變換拓?fù)錁?gòu)造)，但受當(dāng)時(shí)的技術(shù)程度，特別是人們認(rèn)識(shí)的限制(總是以為兩級(jí)變換的效率比單級(jí)低，而事實(shí)上兩級(jí)變換能夠完成事實(shí)上的固有的零電壓開關(guān)，單級(jí)變換則需求特殊的附加電路和控制方式)而并沒有得到供認(rèn)和應(yīng)用。器件的性能和人們認(rèn)識(shí)的進(jìn)步曾經(jīng)使兩級(jí)變換作為高效率功率變換的主要方式之一。
結(jié)語
往常關(guān)于開關(guān)電源設(shè)計(jì)工程師和制造廠商而言，先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件能夠便當(dāng)?shù)玫剑冗M(jìn)的電路拓?fù)浜涂刂品绞皆?jīng)開端應(yīng)用，他們所剩下的就是想方法進(jìn)步本人的技術(shù)程度，同時(shí)發(fā)明更好的應(yīng)用時(shí)機(jī)和市場(chǎng)份額。
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